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NextCVD等(deng)(deng)離(li)子體(ti)改性及(ji)刻蝕多功能寬(kuan)密度等(deng)(deng)離(li)子體(ti)國內(nei)的電感耦合(he)等(deng)(deng)離(li)子體(ti)都是(shi)基于中頻13.56MHz的電源發(fa)生器,等(deng)(deng)離(li)子體(ti)密度較(jiao)低,而且是(shi)螺旋管式(shi),主要用(yong)于等(deng)(deng)離(li)子體(ti)刻蝕,不適(shi)宜用(yong)于沉積高(gao)質量薄膜。
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