硫(liu)化鎵晶體(ti)(ti) GaS(Gallium Sulfide) 晶體(ti)(ti)尺(chi)寸:~10毫米(mi) 電學(xue)性能:半(ban)導體(ti)(ti) 晶體(ti)(ti)結構:六(liu)邊形 晶胞(bao)參數:a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(ti)(ti)類型:合成 晶體(ti)(ti)純度:>99.995%
硫化鍺晶(jing)(jing)體 GeS(Germanium Sulfide) 晶(jing)(jing)體尺寸(cun):~10毫(hao)米(mi) 電學性能:半導體 晶(jing)(jing)體結構(gou):斜方晶(jing)(jing)系 晶(jing)(jing)胞參數(shu):a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶(jing)(jing)體類型:合(he)成 晶(jing)(jing)體純度:>99.995%
二硫化鉿晶(jing)體(ti) HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶(jing)體(ti)尺(chi)寸:~10毫米(mi) 電學性能(neng):半(ban)導體(ti) 晶(jing)體(ti)結構(gou):六邊形 晶(jing)胞參(can)數:a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體(ti)類型:合成 晶(jing)體(ti)純度:>99.995%
二硫化鉬晶(jing)體(天(tian)然) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶(jing)體結構:六(liu)邊形 類(lei)型:天(tian)然晶(jing)體 尺(chi)寸:~10mm-20mm 純度:99% 屬(shu)性:半導體
二硫(liu)化(hua)鉬晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(2H-合成(cheng)/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體尺(chi)寸:~10毫(hao)米 電學(xue)性能(neng):N型半導(dao)體 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體結構:六邊形(xing) 晶(jing)(jing)(jing)(jing)胞(bao)參數:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體類型:合成(cheng) 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體純度(du):>99.995%
二硫化(hua)鉬晶(jing)體(ti)(ti)(ti)(2H-合(he)成/99.995%/p 型(xing)) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)尺(chi)寸(cun):~10毫米 電學性能:P型(xing)半導體(ti)(ti)(ti) 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)結構:六邊形 晶(jing)胞參數(shu):a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)類型(xing):合(he)成 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)純度:>99.995%
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